Расширенный поиск

53 года, мужчина

Саранск

Гражданство: Россия

Желаемая должность и зарплата
Инженер технолог
1 200 $
График, место работы
Ищу работу в городе: Москва . Командировки возможны.
Стаж в желаемой должности
5 лет
Профессиональные навыки
   Имею большой опыт в изготовлении полупроводниковых кристаллов! В организации и запуске производственных участков. И в управлении трудовых коллективов.
Основное образование
Высшее , закончил Мордовский Государственный Университет,Факультет электронной техники , 1984
 
Опыт работы

2003, июль — продолжаю работать, 13 лет

Ведущий инженер-технолог

Саранский завод точных приборов

Разработана и внедрена в производство технология изготовления кристаллов стабилитронов 2с-162- 2с-213 по сплавной технологии. Разработана технология изготовления кристаллов мощных диодов с Uпр.> 1000 в. Отработана технология создания омических контактов методом химического никелирования. Покрытия выдерживают КОН и пригодно для УЗ разварки вывода. Отработана и внедрена в производство технология обработки поверхности p-n перехода с последующей защитой. И многое другое…

 

2008, ноябрь — 2009, май, 6 мес

Руководитель

Саранск

Ноябрь 2008 г. –май 2009 г. организованно и запущено производство
симметричного стабилитрона серии КС 162- КС 213. В статусе реального предприятия. Производство законсервировано из-за кризиса.

 

1988, июль — 2003, июль, 15 лет

Ведущий Инженер.

Ульяновский Центр Микроэлектроники”.

Подготовка производства для изготовления чувствительных элементов
Полупроводящих интегральных датчиков. Проведение НИРовских и НИОКРовских работ по полупроводниковой тематике.

 

1984, сентябрь — 1988, июнь, 3 года 9 мес

Инженер-технолог

Г. Ульяновск з-д. “Искра” .

Изготовление кристаллов, мощных транзисторов 2 Т/KT -803, 808, 809, 812, 908,
КТ-840, 940, 961. Проведение опытных партий. Обработка и корректировка диффузионных режимов, контроль и управление по всему технологическому маршруту изготовления кристалла. На кристаллах 2Т-809, 2Т-808 технологические режимы диффузии Al, B и P и соответственную глубину залегания p-n переходов были изменены таким образом, что процент вывода годных повышен в 2 раза.
Имею большой опыт в изготовлении полупроводниковых кристаллов! В организации и запуске производственных участков. И в управлении трудовых коллективов.

 
Основное образование
1984 г.в.

Высшее образование (специалист)

закончил Мордовский Государственный Университет,Факультет электронной техники

инженер электронной техники
 

Владение языками

Английский - средний

 
Подробнее о себе

Семейное положение

Дети есть