Расширенный поиск

44 года, мужчина

Санкт-Петербург

Гражданство: Россия

Желаемая должность и зарплата
Специалист по нанолитографии
125 000 руб.
График, место работы
Полный рабочий день. Ищу работу в городе: Москва , Ленинградская область (41  город) . Командировки возможны.
Стаж в желаемой должности
5 лет
Профессиональные навыки
Статистический Дизайн Экспериментов, Теория Качества, MATLAB, LabView, NI Measurement Studio, Mathcad, VB.NET, C#, Англ. Язык на уровне носителя, Французский/Польский (школьная программа)
Основное образование
Высшее , RIT, Рочестерский Технологический Институт,Факультет Наук об Изображениях , 2008
 
Опыт работы

2005, январь — 2007, ноябрь, 2 года 10 мес

Технический директор

Amphibian Systems, Rochester, NY

Ответственный за разработку оптики, программного интерфейса и интеграции робототехники в проекционную установку оригинальной конструкции. Участвовал в создании и сертифицировании установок для крупных клиентов в области микроэлектроники.

 

2000, май — 2003, август, 3 года 3 мес

Интернатура, 3 лета

Motorola APRDL (Advanced Product Research and Development Labs) г. Остин‚ штат Техас‚ США Отдел фотолитографии

Анализ и оптимизация процессов на проекционных установках последнего поколения. Проекты: анализ чувствительности к аберрациям, анализ влияния бликов, измерение интенсивности источника и её оптимизация. Создал набор статистического ПО для анализа качества литографического процесса.

 

1999, май — 1999, август, 3 мес

Стажер, Интернатура

IBM TJ Watson Research Labs, Yorktown Heights, NY США

г. Исследовал стабильность новых материалов для масок работающих по принципу сдвига фазы под лазерным облучением с длиной волны 193 нм.

 

1994, декабрь — 1999, май, 4 года

Инженер-Технолог

Veeco Instruments Inc./ CVC Inc. г. Рочестер‚ штат Нью-Йорк‚ США

Участвовал в разработке, тестировании и сертифицировании автоматизированных
установок кластерного типа для физического напыления. Оптимизировал параметры процессов на фабрике и у клиентов. Разрабатывал процедуры проверки качества.
Приложения включали микроэлектронную и дисковую отрасли.

 
Основное образование
2008 г.в.

Докторантура

RIT, Рочестерский Технологический Институт,Факультет Наук об Изображениях

Центр по исследованию Нанолитографии

Доктор Философии Ожидается в Мае 2008 Диссертация: Фундаментальные пределы развития Фотолитографии

 
2000 г.в.

Высшее образование (магистр)

RIT, Рочестерский Технологический Институт, Факультет Микроэлектроники

Микролитография

Диссертация: Материалы для масок работающих по принципу сдвига фазы под лазерным облучением с длинной волны 157 нм.

 
1995 г.в.

Высшее образование (специалист)

RIT, Рочестерский Технологический Институт, Факультет Физики

Физика

С Высоким Отличием, Ср. Балл: 3,67/4,00

 
1993 г.в.

Неполное высшее

Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, Физико-Технический Факультет

Физико-Технический Факультет, кафедра Космических Исследований

Ср. Балл: 4,97/5,00

 

Владение языками

Английский - свободное владение

Французский - начальный

 
Подробнее о себе

Семейное положение

Холост , Детей нет